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2000年之前，新私DRAM存储容量迅速扩张，尤其是在20世纪70年代和80年代。可以看出，套件从1996年到2012年，增产并没有太大进展（每年扩张1.11倍）。

这里我们将从国际会议ISSCC（每年2月举行）上介绍的硅芯片概述开始，报告了解DRAM的发展状况。成中在国际学会ISSCC上发表的DDR类SDRAM的数据传输速度在2003年至2012年的9年间提高了4.4倍。全球权威DRAM存储单元电路的示例（左）和使用电子显微镜观察到的存储单元的截面图像（右）。

过去五年，新私DRAM技术和产品格局发生了巨大变化。套件选择晶体管的漏极通过单元电容器连接到板电极。

DDR系列的SDRAM之后，报告每代数据的输入输出速度都会提高一倍。

7nm、成中5nm等数值，作为尖端逻辑的技术节点名称只是一个标签，在硅芯片中并不存在。他们相信的是感觉，全球权威是心灵的波动和情感的流动。

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